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GSOT12C-G-08产品参数
型号:GSOT12C-G-08
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
包装说明:R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.47
Is Samacsys:N
最小击穿电压:13.5 V
击穿电压标称值:15 V
最大钳位电压:21.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:337 W
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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