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    • GT10J303图

    • 集好芯城

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    • GT10J303
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    • 厂家TOSHIBA/东芝 
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    • GT10J303图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • GT10J303
    • 数量15638 
    • 厂家TOSHIBA/东芝 
    • 封装NA/ 
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    • 原装现货，当天可交货，原型号开票
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    • gt10j303图

    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • GT10J303(Q)图

    • 北京首天国际有限公司

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    • GT10J303(Q)
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    • 厂家√ 欧美㊣品 
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    • 批号22+ 
    • 房间现货，价格优势。
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • GT10J303
    • 数量28000 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
    • 厂家TOSHIBA/东芝 
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    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 数量3016 
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    • 上海原装现货库存！
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 厂家TOSHIBA 
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    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市宇川湘科技有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    产品型号GT10J303的概述

    芯片GT10J303的概述 GT10J303是一款专为多种应用场景设计的集成电路芯片，广泛用于电子设备和自动化系统中。它具备较高的性能和稳定性，适合用于工业监测、控制系统以及消费类电子产品。GT10J303的设计依赖于现代半导体技术，能满足复杂应用所需的功能和效率。 芯片GT10J303的详细参数 GT10J303的核心参数包括工作电压、功耗、工作频率、输入/输出接口等。具体如下： - 工作电...
    配单直通车
    GT10J303产品参数
    型号:GT10J303
    是否无铅： 含铅
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    包装说明：LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN
    针数：3
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.23
    其他特性：HIGH SPEED
    外壳连接：ISOLATED
    最大集电极电流 (IC)：10 A
    集电极-发射极最大电压：600 V
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最大降落时间（tf）：300 ns
    门极-发射极最大电压：20 V
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：30 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Insulated Gate BIP Transistors
    表面贴装：NO
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：POWER CONTROL
    晶体管元件材料：SILICON
    标称断开时间 (toff)：500 ns
    标称接通时间 (ton)：400 ns
    Base Number Matches：1
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