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| 型号: | GT25G102 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | TOSHIBA CORP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 6000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 500 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 8 V |
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