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  • GT28F160B3BA110
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  • 厂家INTEL/英特尔 
  • 封装BGA 
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GT28F160B3BA110产品参数
型号:GT28F160B3BA110
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA
包装说明:MICRO, BGA-48
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.69
最长访问时间:110 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0
长度:7.286 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:8,31
端子数量:48
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA46,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
部门规模:4K,32K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:6.964 mm
Base Number Matches:1
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