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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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产品型号GT30J324的概述

GT30J324芯片概述 GT30J324是一款在功率电子和电源管理领域广泛应用的场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商提供。此器件具有特定的电气特性和性能参数,适用于各种高频、高效率的开关电源以及其他各种电子设备中。GT30J324的设计兼顾功率与效率,能够满足现代电子应用对小型化和高...
配单直通车
GT30J324产品参数
型号:GT30J324
生命周期:End Of Life
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.17
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):170 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):430 ns
标称接通时间 (ton):240 ns
Base Number Matches:1
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