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GT60N321产品参数
型号:GT60N321
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.22
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):60 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):400 ns
门极-发射极最大电压:25 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):170 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):700 ns
标称接通时间 (ton):330 ns
Base Number Matches:1
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