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GT8G131产品参数
型号:GT8G131
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:6 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):2400 ns
标称接通时间 (ton):1700 ns
Base Number Matches:1
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