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  • GVT71128G36T-6图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 厂家Rochester Electronics. LLC 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • GVT71128G36T-6
  • 数量98500 
  • 厂家GALVANTECH 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • GVT71128G36T-6
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  • 厂家GALVANT 
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  • 长荣电子

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  • 数量26 
  • 厂家GALVANTECH 
  • 封装QFP 
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  • 深圳市博正芯科技有限公司

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  • 厂家Galvantech 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家 
  • 封装BGA 
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GVT71128G36T-6产品参数
型号:GVT71128G36T-6
生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8
最长访问时间:4 ns
其他特性:PIPELINE ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):117 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm
内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:36
功能数量:1
端子数量:100
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX36
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.35 mA
最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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