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GVT7164B19C-9产品参数
型号:GVT7164B19C-9
生命周期:Active
包装说明:QCCJ,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8
最长访问时间:9 ns
JESD-30 代码:S-PQCC-J52
长度:19.125 mm
内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端子数量:52
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:4.57 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
宽度:19.125 mm
Base Number Matches:1
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