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  • GVT73128A8J-10图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • GVT73128A8J-10
  • 数量6500 
  • 厂家GALVANTECH 
  • 封装SOJ/32 
  • 批号20+ 
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GVT73128A8J-10产品参数
型号:GVT73128A8J-10
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0
长度:20.955 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.68 mm
最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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