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  • GWM160-0055图
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • GWM160-0055X1-SMD
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  • GWM160-0055P3
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  • GWM160-0055X1-SMD图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • GWM160-0055X1-SMD
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GWM160-0055P3产品参数
型号:GWM160-0055P3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):160 A
最大漏源导通电阻:0.0029 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDFP-F17
元件数量:6
端子数量:17
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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