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HAT1036R Datasheet技术文件下载

HAT1072H-EL-E产品参数和技术文档

HAT1036R产品图

HAT1072H-EL-E产品参考价格

HAT1072H-EL-E产品参数

品牌:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
详细描述:
表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
155nC @ 10V
Vgs(最大值)
+10V,-20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9500pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK
封装/外壳
SC-100,SOT-669
标准包装
2,500
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • HAT1036R
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司

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