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HM1-6116-8产品参数
型号:HM1-6116-8
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85
最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T24
JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:24
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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