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HN28F101CP-12产品参数
型号:HN28F101CP-12
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HITACHI LTD
零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.31
最长访问时间:120 ns
其他特性:BULK ERASE; AUTOMATIC WRITE; BYTE PROGRAMMABLE
命令用户界面:NO
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm
最大待机电流:0.00002 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
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