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HUF75631P3产品参数和技术文档

HUF75631P3产品图

HUF75631P3产品参考价格

HUF75631P3产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:
通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
制造商
ON Semiconductor
系列
UltraFET™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
79nC @ 20V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1220pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
400
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • HUF75631P3
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产品索引: HMC470LP3 HI5766KCB HCPL-2612 HLMP-2400 HFA08TB120 HX2019NL HSP50415VI HUF75939P3 HFBR-1521 HMA124

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