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HUFA76629D3S产品参数和技术文档

HUFA76629D3S产品图

HUFA76629D3S产品参考价格

HUFA76629D3S产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
制造商
ON Semiconductor
系列
UltraFET™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
52 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
46nC @ 10V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1285pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1,800
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
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  • 厂家
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  • ON 
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  • DPAK 
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  • FAIRCHILD 
  • 最新批号 
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  • SOJ 
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  • TO-252 
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  • HUFA76629D3S
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产品索引: HMS81032TL HMC603QS16E HI9P0201-5 HIP2101EIBZ HGT1S7N60C3DS9A HSP43168VC-33 HT7218 HSMS-2855-TR1G HI5812JIP HS2K219

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