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HY62256BLLJ-55产品参数
型号:HY62256BLLJ-55
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.5
针数:28
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.28
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
其他特性:BATTERY BACKUP
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0
长度:18.39 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.794 mm
最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽度:8.69 mm
Base Number Matches:1
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