H11F1产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

详细描述：光隔离器 MOSFET 输出 5300Vrms 1 通道 6-DIP

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

通道数：1

电压 - 隔离：5300Vrms

电流传输比（最小值）：-

电流传输比（最大值）：-

打开 / 关闭时间（典型值）：25µs，25µs（最大）

上升/下降时间（典型值）：-

输入类型：DC

输出类型：MOSFET

电压 - 输出（最大值）：30V

电流 - 输出/通道：-

电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.3V

电流 - DC 正向（If）：60mA

Vce 饱和值（最大值）：-

工作温度：-55°C ~ 100°C

安装类型：通孔

封装/外壳：6-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：6-DIP

标准包装：1,000

其它名称：H11F1GE H11F1QT H11F1QT-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）