H11G2产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

详细描述：光隔离器 有基极的达林顿晶体管 输出 5300Vrms 1 通道 6-DIP

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

通道数：1

电压 - 隔离：5300Vrms

电流传输比（最小值）：1000% @ 10mA

电流传输比（最大值）：-

打开 / 关闭时间（典型值）：5µs，100µs

上升/下降时间（典型值）：-

输入类型：DC

输出类型：有基极的达林顿晶体管

电压 - 输出（最大值）：80V

电流 - 输出/通道：-

电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.3V

电流 - DC 正向（If）：60mA

Vce 饱和值（最大值）：1V

工作温度：-55°C ~ 100°C

安装类型：通孔

封装/外壳：6-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：6-DIP

标准包装：1,000

其它名称：H11G2GI H11G2QT H11G2QT-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）