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产品型号H5MS5122DFR的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
H5MS5122DFR-E3M产品参数
型号:H5MS5122DFR-E3M
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA90,9X15,32
针数:90
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.27
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B90
JESD-609代码:e1
长度:13 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:90
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C
组织:16MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA90,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.0003 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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