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  • H5TC2G63GFR-H9A图
  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • H5TC2G63GFR-H9A
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  • 厂家SKhynix 
  • 封装FBGA96 
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  • H5TC2G63GFR-H9A图
  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • H5TC2G63GFR-H9A
  • 数量36000 
  • 厂家SKHYNIX 
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配单直通车
H5TC2G63GFR-PBA产品参数
型号:H5TC2G63GFR-PBA
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
包装说明:TFBGA,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.63
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B96
长度:13 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:96
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:128MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.45 V
最小供电电压 (Vsup):1.283 V
标称供电电压 (Vsup):1.35 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1
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