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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • H5TQ1G63BFR-14C
  • 数量13050 
  • 厂家HY 
  • 封装BGA 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:515102657
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    H5TQ1G63BFR-14C相关文章

配单直通车
H5TQ1G63BFR-G7C产品参数
型号:H5TQ1G63BFR-G7C
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA96,9X16,32
针数:96
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.81
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:20 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):533 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B96
JESD-609代码:e1
长度:13 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:96
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:64MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA96,9X16,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.01 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.21 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1
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