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型号: | H8BCS0SI0BAR-46M |
生命周期: | Active |
包装说明: | FBGA-149 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.58 |
其他特性: | IT ALSO CONTAINS 1GBIT (64MBIT X 16) MOBILE DDR OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B149 |
长度: | 14 mm |
内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 149 |
字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 128MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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