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H8BCS0SN0MCR-4EM产品参数
型号:H8BCS0SN0MCR-4EM
生命周期:Active
包装说明:FBGA-137
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.58
其他特性:IT ALSO CONTAINS 2GBIT (128MBIT X 16) NAND FLASH MEMORY OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY
JESD-30 代码:R-PBGA-B137
长度:13 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:32
功能数量:1
端子数量:137
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C
组织:64MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:10.5 mm
Base Number Matches:1
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