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HAT2299WP产品参数
型号:HAT2299WP
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.38
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.11 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-N8
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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