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HCS132DMSR产品参数
型号:HCS132DMSR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.74
其他特性:RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列:HC/UH
JESD-30 代码:R-CDIP-T14
JESD-609代码:e0
负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.004 A
功能数量:4
输入次数:2
端子数量:14
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
电源:5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:22 ns
传播延迟(tpd):20 ns
认证状态:Not Qualified
施密特触发器:YES
筛选级别:38535V;38534K;883S
子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
总剂量:200k Rad(Si) V
Base Number Matches:1
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