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| 型号: | HCTS30DMSR |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.72 |
| 系列： | HCT |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.004 A |
| 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 8 |
| 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 25 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 200k Rad(Si) V |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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