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| 型号: | HD74LV2G14AUSE |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | RENESAS ELECTRONICS CORP |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SSOP-8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N |
| 系列： | LV/LV-A/LVX/H |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 2.3 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | INVERTER |
| 最大I（ol）： | 0.006 A |
| 功能数量： | 3 |
| 输入次数： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.12,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 18.5 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 46 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | YES |
| 座面最大高度： | 0.9 mm |
| 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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