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型号: | HEF4011BP |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MO-001 |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 |
针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.14 |
系列: | 4000/14000/40000 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 |
长度: | 19.025 mm |
负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE |
最大I(ol): | 0.00036 A |
功能数量: | 4 |
输入次数: | 2 |
端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5/15 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 110 ns |
传播延迟(tpd): | 110 ns |
认证状态: | Not Qualified |
施密特触发器: | NO |
座面最大高度: | 4.2 mm |
子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 15 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | NICKEL/PALLADIUM/GOLD (NI/PD/AU) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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