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产品型号HEF4011BP的概述

芯片HEF4011BP概述 HEF4011BP是一款广泛应用于数字电路中的IC芯片，它属于CMOS（互补金属氧化物半导体）系列，专门设计用于实现逻辑门的功能。作为双4输入的NAND门，这款芯片在现代电子设计中扮演着重要角色，提供了可靠的逻辑运算能力，同时具备低功耗和高噪声容限的特点。HEF4011BP的应用广泛，包括计算机硬件、消费电子、自动化设备和嵌入式系统等。芯片HEF4011BP的详细参数 HEF4011BP具有多种电气特性，适合于不同的工作环境。以下是一些关键的技术参数： - 工作电压范围: 3V到15V，通常为5V和10V - 输入电流: 最大值为±1μA（在静态状态下） - 输出电流: 最大值为25mA - 传播延迟：典型值为7ns（在5V电压下） - 功耗: 在正常条件下，功耗小于1mW - 温度范围: -40°C至+125°C - 逻辑功能: 4个2输入NAND门 H...

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INTEGRATED CIRCUITS

DATA SHEET

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• The IC04 LOCMOS HE4000B Logic

Family Specifications HEF, HEC

• The IC04 LOCMOS HE4000B Logic

Package Outlines/Information HEF, HEC

HEF4011B

gates

Quadruple 2-input NAND gate

January 1995

Product speciﬁcation

File under Integrated Circuits, IC04

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

HEF4011B

gates

Quadruple 2-input NAND gate

DESCRIPTION

The HEF4011B provides the positive quadruple 2-input

NAND function. The outputs are fully buffered for highest

noise immunity and pattern insensitivity of output

impedance.

Fig.2 Pinning diagram.

HEF4011BP(N):

HEF4011BD(F):

HEF4011BT(D):

14-lead DIL; plastic

(SOT27-1)

14-lead DIL; ceramic (cerdip)

(SOT73)

Fig.1 Functional diagram.

14-lead SO; plastic

(SOT108-1)

( ): Package Designator North America

Fig.3 Logic diagram (one gate).

FAMILY DATA, I_DDLIMITS category GATES

See Family Specifications

January 1995

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

HEF4011B

gates

Quadruple 2-input NAND gate

AC CHARACTERISTICS

V_SS= 0 V; T_amb= 25 °C; C_L= 50 pF; input transition times ≤ 20 ns

V_DD

TYPICAL EXTRAPOLATION

FORMULA

SYMBOL

TYP

MAX

Propagation delays

110

28 ns + (0,55 ns/pF) C_L

14 ns + (0,23 ns/pF) C_L

12 ns + (0,16 ns/pF) C_L

10 ns + (1,0 ns/pF) C_L

9 ns + (0,42 ns/pF) C_L

6 ns + (0,28 ns/pF) C_L

10 ns + (1,0 ns/pF) C_L

9 ns + (0,42 ns/pF) C_L

6 ns + (0,28 ns/pF) C_L

I_n→ O_n

t_PHL; t_PLH

Output transition times

HIGH to LOW

120

t_THL

120

LOW to HIGH

t_TLH

V_DD

TYPICAL FORMULA FOR P (µW)

Dynamic power

dissipation per

package (P)

1300 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

where

6000 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

f_i= input freq. (MHz)

f_o= output freq. (MHz)

C_L= load capacitance (pF)

∑ (f_oC_L) = sum of outputs

20 100 f_i+ ∑ (f_oC_L) × V_DD

_DD= supply voltage (V)

January 1995

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HEF4011BP产品参数

型号:	HEF4011BP
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MO-001
包装说明：	DIP, DIP14,.3
针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.14
系列：	4000/14000/40000
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
长度：	19.025 mm
负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.00036 A
功能数量：	4
输入次数：	2
端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	110 ns
传播延迟（tpd）：	110 ns
认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO
座面最大高度：	4.2 mm
子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	15 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO
技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL/PALLADIUM/GOLD (NI/PD/AU)
端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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