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| 型号: | HEF4750VD |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 10 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | PLL or Frequency Synthesis Circuits |
| 最大供电电流 (Isup)： | 0.75 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 10 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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