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HER308G产品参数
型号:HER308G
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:FORMOSA MICROSEMI CO LTD
包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.06
应用:EFFICIENCY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.85 V
JEDEC-95代码:DO-201AD
JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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