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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号HFA06TB120的概述

芯片HFA06TB120的概述 HFA06TB120是一款高性能的功率MOSFET,主要应用于电源转换、开关电源、电动机驱动以及高频开关应用中。它具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和较高的击穿电压,适用于高效率及高功率密度的电路设计。由于其优越的电气性能,HFA06TB120广泛应用于消费电子、工业设备、通讯和汽车电子等领域。 芯片HFA06TB120的详细参数 HFA06TB120的参数规格如下: - 型号: HFA06TB120 - 最大漏极-源极电压 (VDS): 120V - 最大门极-源极电压 (VGS): ±20V - 最大连续漏极电流 (ID): 6A - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 25A - 导通电阻 (RDS(on)): 0.18Ω(在VGS=10V时) - 开关时间: 开通时间 (td(on)) 15ns,关断时间 (td(off)) 40ns -...

产品型号HFA06TB120的Datasheet PDF文件预览

Bulletin PD -2.382 rev. D 12/00  
HFA06TB120  
TM  
HEXFRED  
Ultrafast, Soft Recovery Diode  
BASE  
Features  
CATHODE  
VR = 1200V  
VF(typ.)* = 2.4V  
IF(AV) = 6.0A  
• UltrafastRecovery  
• UltrasoftRecovery  
• Very Low IRRM  
4
• Very Low Qrr  
Qrr (typ.)=116nC  
IRRM(typ.) = 4.4A  
trr(typ.) = 26ns  
2
• SpecifiedatOperatingConditions  
Benefits  
3
1
ANODE  
2
CATHODE  
di(rec)M/dt (typ.)* = 100A/µs  
• ReducedRFIandEMI  
• Reduced Power Loss in Diode and Switching  
Transistor  
• HigherFrequencyOperation  
• ReducedSnubbing  
• ReducedPartsCount  
TO-220AC  
Description  
International Rectifier's HFA06TB120 is a state of the art ultra fast recovery diode.  
Employing the latest in epitaxial construction and advanced processing techniques it  
features a superb combination of characteristics which result in performance which is  
unsurpassed by any rectifier previously available. With basic ratings of 1200 volts and  
6 amps continuous current, the HFA06TB120 is especially well suited for use as the  
companion diode for IGBTs and MOSFETs. In addition to ultra fast recovery time, the  
HEXFRED product line features extremely low values of peak recovery current (IRRM  
)
and does not exhibit any tendency to "snap-off" during the tb portion of recovery. The  
HEXFRED features combine to offer designers a rectifier with lower noise and  
significantly lower switching losses in both the diode and the switching transistor.  
These HEXFRED advantages can help to significantly reduce snubbing, component  
countandheatsinksizes. TheHEXFREDHFA06TB120isideallysuitedforapplications  
inpowersuppliesandpowerconversionsystems(suchasinverters), motordrives, and  
many other similar applications where high speed, high efficiency is needed.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VR  
Cathode-to-Anode Voltage  
Continuous Forward Current  
Single Pulse Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
1200  
8.0  
80  
24  
62.5  
25  
V
IF @ TC = 100°C  
IFSM  
IFRM  
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
TSTG  
A
W
-55 to +150  
°C  
Storage Temperature Range  
* 125°C  
1
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
VBR  
VFM  
Cathode Anode Breakdown  
1200 ––– –––  
V
IR = 100µA  
Voltage  
Max. Forward Voltage  
––– 2.7 3.0  
––– 3.5 3.9  
––– 2.4 2.8  
IF = 6.0A  
IF = 12A  
V
IF = 6.0A, TJ = 125°C  
IRM  
Max.Reverse LeakageCurrent ––– 0.26 5.0  
––– 110 500  
VR = VR Rated  
µA  
TJ = 125°C, VR = 0.8 x VR RatedD R  
CT  
LS  
JunctionCapacitance  
SeriesInductance  
––– 9.0 14  
––– 8.0 –––  
pF  
nH  
VR = 200V  
Rated  
Measured lead to lead 5mm from pkg body  
Dynamic Recovery Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
trr  
ReverseRecoveryTime  
–––  
–––  
–––  
26  
53  
87  
–––  
80  
IF = 1.0A, dif/dt = 200A/µs, VR = 30V  
trr1  
ns TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
trr2  
130  
IF = 6.0A  
VR = 200V  
IRRM1  
IRRM2  
Qrr1  
Qrr2  
Peak Recovery Current  
ReverseRecoveryCharge  
––– 4.4 8.0  
––– 5.0 9.0  
––– 116 320  
––– 233 585  
––– 180 –––  
––– 100 –––  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
A
nC  
dif/dt = 200A/µs  
di(rec)M/dt1 PeakRateofRecovery  
di(rec)M/dt2 Current During tb  
A/µs  
Thermal - Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Tlead  
RthJC  
RthJA  
LeadTemperature  
––––  
––––  
300  
2.0  
°C  
!
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Case to Heat Sink  
Weight  
––––  
––––  
––––  
––––  
––––  
6.0  
––––  
––––  
0.5  
80  
K/W  
"
RthCS$  
Wt  
––––  
––––  
––––  
12  
2.0  
g
0.07  
––––  
––––  
(oz)  
MountingTorque  
Kg-cm  
lbf•in  
5.0  
10  
!
0.063 in. from Case (1.6mm) for 10 sec  
"#Typical Socket Mount  
Mounting Surface, Flat, Smooth and Greased  
$
2
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
100  
10  
1
1000  
100  
10  
T
= 150˚C  
125˚C  
J
100˚C  
1
25˚C  
0.1  
0.01  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400  
ReverseVoltage-VR(V)  
100  
10  
1
T
= 150˚C  
= 125˚C  
J
T
= 25˚C  
J
T
J
T
J
= 25˚C  
0.1  
0
2
4
6
1
10  
100  
1000  
10000  
ForwardVoltageDrop-VFM(V)  
Fig.1-Typical Forward Voltage Drop Characteristics  
ReverseVoltage-VR(V)  
Fig.3-Typical Junction Capacitance  
Vs. Reverse Voltage  
10  
D = 0.50  
D = 0.20  
1
D = 0.10  
P
DM  
D = 0.05  
D = 0.02  
D = 0.01  
t
1
t
2
0.1  
Single Pulse  
(Thermal Resistance)  
Notes:  
1. Duty factor D = t / t  
1
2
2. Peak T = P x Z  
+ T  
C
J
DM  
thJC  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Fig.4-MaximumThermal Impedance ZthJC Characteristics  
3
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
25  
20  
15  
10  
5
110  
100  
90  
I
I
F
F
= 6 A  
= 4 A  
V
R = 200V  
= 125˚C  
T
J
T
=
25˚C  
J
80  
IF = 6 A  
IF = 4 A  
70  
60  
50  
40  
VR = 200V  
TJ = 125˚C  
TJ  
= 25˚C  
30  
20  
100  
0
100  
1000  
1000  
dif/dt- (A/µs)  
dif/dt- (A/µs)  
Fig.5-Typical Reverse Recovery  
Vs. dif/dt  
Fig.6-Typical Recovery Current  
Vs. dif/dt  
10000  
1000  
100  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
VR = 200V  
TJ = 125˚C  
TJ  
= 25˚C  
I
I
F
F
= 6 A  
= 4 A  
IF = 6 A  
IF = 4 A  
VR = 200V  
TJ = 125˚C  
TJ  
= 25˚C  
10  
100  
1000  
100  
1000  
dif/dt- (A/µs)  
Fig.8-TypicalStoredCharge vs.dif/dt  
dif/dt- (A/µs)  
Fig.7-Typical di(REC) M/dt vs.dif/dt  
4
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
REVERSE RECOVERY CIRCUIT  
V
= 200V  
R
0.01  
L = 70µH  
D.U.T.  
D
dif/dt  
ADJUST  
IRFP250  
G
S
Fig. 9- Reverse Recovery Parameter Test Circuit  
3
t
rr  
I
F
t
t
a
b
0
4
Q
rr  
2
I
0.5  
di(rec)M/dt  
I
RRM  
RRM  
5
0.75 I  
RRM  
1
di /dt  
f
1. dif/dt - Rate of change of  
current  
through zero  
crossing  
4. Qrr - Area under curve  
defined by trr and IRRM  
2. IRRM - Peak reverse  
recovery current  
trr X IRRM  
2
3. trr - Reverse recovery  
Qrr =  
time measured  
from zero  
crossing point of negative  
going IF to point where a line 5. di(rec)M/dt - Peak rate of  
passing through 0.75 IRRM  
change of current during tb  
portion of trr  
and 0.50 IRRM  
extrapolated to zero current  
Fig. 10 - Reverse Recovery Waveform and Definitions  
5
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
Outline Table  
Conforms to JEDEC Outline TO-220AC  
Dimensions in millimeters and inches  
Ordering Information Table  
DeviceCode  
HF  
A
06 TB 120  
2
4
5
1
3
1
2
-
-
HexfredFamily  
ProcessDesignator  
A = A subs. elec. irrad.  
B = B subs. Platinum  
3
4
5
-
-
-
Average Current: Code 06 = 6 AMPS  
Package Outline: Code TB = TO-220 2 Lead  
Voltage code : Code 120 = 1200 V  
6
HFA06TB120  
Bulletin PD-2.382 rev. D 12/00  
WORLDHEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 U.S.A. Tel: (310) 322 3331. Fax: (310) 322 3332.  
EUROPEANHEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, U.K. Tel: ++ 44 1883 732020. Fax: ++ 44 1883 733408.  
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Markham, Ontario L6T3Z2. Tel: (905) 453 2200. Fax: (905) 475 8801.  
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg. Tel: ++ 49 6172 96590. Fax: ++ 49 6172 965933.  
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino. Tel: ++ 39 11 4510111. Fax: ++ 39 11 4510220.  
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo, Japan 171. Tel: 81  
3 3983 0086.  
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower,13-11, Singapore 237994. Tel: ++ 65 838 4630.  
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D.207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan. Tel: 886 2377 9936.  
2
http://www.irf.com  
Fax-On-Demand: +44 1883 733420  
Data and specifications subject to change without notice.  
7
配单直通车
HFA06TB120产品参数
型号:HFA06TB120
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码:TO-220AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.48
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE, LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3.9 V
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.08 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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