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  • HFA1100IB(SMD) D/C99图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • HFA1100IB(SMD) D/C99
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    HFA1100IB(SMD)相关文章

配单直通车
HFA1100IB96产品参数
型号:HFA1100IB96
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.78
Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:CURRENT-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB):50 µA
最小共模抑制比:38 dB
标称共模抑制比:46 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电压:10000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
低-偏置:NO
低-失调:NO
微功率:NO
负供电电压上限:-6 V
标称负供电电压 (Vsup):-5 V
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TAPE AND REEL
功率:NO
电源:+-5 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
最小摆率:1950 V/us
标称压摆率:2300 V/us
子类别:Operational Amplifiers
最大压摆率:33 mA
供电电压上限:6 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽带:YES
Base Number Matches:1
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