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| 型号: | HFA1113IB |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 35 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 850 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 35 µA |
| 最大输入失调电压： | 35000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 负供电电压上限： | -6 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 最小输出电流： | 0.05 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | +-5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最小摆率： | 800 V/us |
| 标称压摆率： | 1500 V/us |
| 子类别： | Buffer Amplifiers |
| 最大压摆率： | 33 mA |
| 供电电压上限： | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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