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HFB35HB20产品参数
型号:HFB35HB20
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.59
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.01 V
JEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-MSFM-P3
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:125 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
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