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型号: | HGT1S10N120BNST |
Brand Name: | ON Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
制造商包装代码: | 418AJ |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 20 weeks |
风险等级: | 0.47 |
其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 35 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 200 ns |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 298 W |
认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 15 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 330 ns |
标称接通时间 (ton): | 32 ns |
Base Number Matches: | 1 |
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