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| 型号: | HGT1S3N60A4DS9A |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.08 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 17 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 15 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 17.5 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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