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HGTG27N120BN产品参数
型号:HGTG27N120BN
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码:340CK
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.6
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):72 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):360 ns
标称接通时间 (ton):42 ns
Base Number Matches:1
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