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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • HGTG27N60C3R图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • HGTG27N60C3R
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  • 厂家INTERSIL 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • HGTG27N60C3R
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HGTG27N60C3R产品参数
型号:HGTG27N60C3R
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERSIL CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.24
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):54 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):400 ns
门极发射器阈值电压最大值:7.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):208 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):30 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):430 ns
标称接通时间 (ton):68 ns
Base Number Matches:1
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