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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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HGTH12N50E1产品参数
型号:HGTH12N50E1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:500 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):1000 ns
门极发射器阈值电压最大值:4.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-218AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W
最大功率耗散 (Abs):75 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):50 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):400 ns
最大开启时间(吨):50 ns
VCEsat-Max:3.2 V
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