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HGTP12N60C3产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:IGBT 600V 24A 104W TO220AB

详细描述:IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):24A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):96A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,12A

功率 - 最大值:104W

开关能量:380µJ(开),900µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:48nC

25°C 时 Td(开/关)值:-

测试条件:-

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

基本零件编号:HGTP12N60

标准包装:400

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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