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| 型号: | HGTP12N60B3D |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 27 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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