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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 深圳市莱利尔科技有限公司

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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 贸泽电子元器件（深圳）有限公司

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    • 深圳市兴科泰科技有限公司

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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    HGTP12N60C3产品参数

    品牌：ON Semiconductor

    描述：IGBT 600V 24A 104W TO220AB

    详细描述：IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB

    制造商：ON Semiconductor

    系列：-

    包装：管件

    零件状态：停產

    IGBT 类型：-

    电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

    电流 - 集电极（Ic）（最大值）：24A

    脉冲电流 - 集电极 (Icm)：96A

    不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V，12A

    功率 - 最大值：104W

    开关能量：380µJ（开），900µJ（关）

    输入类型：标准

    栅极电荷：48nC

    25°C 时 Td（开/关）值：-

    测试条件：-

    工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    封装/外壳：TO-220-3

    供应商器件封装：TO-220AB

    基本零件编号：HGTP12N60

    标准包装：400

    对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

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