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HGTP7N60B3D产品参数
型号:HGTP7N60B3D
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.31
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):14 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):175 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):350 ns
标称接通时间 (ton):46 ns
Base Number Matches:1
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