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| 型号: | HI1-307/883 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 14 |
| 标称断态隔离度： | 40 dB |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 50 Ω |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电流 (Isup)： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO |
| 最长断开时间： | 150 ns |
| 最长接通时间： | 250 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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