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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • HI1608-1C10NKNT
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    产品型号HI1609的Datasheet PDF文件预览

    Spec. No. : HE9018-B  
    Issued Date : 1996.04.15  
    Revised Date : 2000.11.01  
    Page No. : 1/3  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    HI1609  
    NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
    Description  
    • Low frequency high voltage amplifier  
    • Complementary pair with HI1109  
    (Ta=25°C)  
    Absolute Maximum Ratings  
    • Maximum Temperatures  
    Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C  
    Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C  
    • Maximum Power Dissipation  
    Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 20 W  
    • Maximum Voltages and Currents  
    BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 160 V  
    BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 160 V  
    BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V  
    IC Collector Current (DC)............................................................................................... 100 mA  
    (Ta=25°C)  
    Characteristics  
    Symbol  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    Test Conditions  
    IC=10uA, IE=0  
    IC=1mA, IB=0  
    BVCBO  
    BVCEO  
    BVEBO  
    ICBO  
    *VCE(sat)  
    VBE(on)  
    *hFE1  
    *hFE2  
    fT  
    160  
    160  
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    uA  
    V
    V
    IE=10uA, IC=0  
    10  
    2
    1.5  
    320  
    -
    VCB=140V, IE=0  
    IC=30mA, IB=3mA  
    IC=10mA, VCE=5V  
    VCE=5V, IC=10mA  
    VCE=5V, IC=1mA  
    VCE=5V, IC=10mA  
    VCB=10V, f=1MHz  
    -
    60  
    30  
    -
    -
    140  
    3.8  
    -
    -
    MHz  
    pF  
    Cob  
    -
    *Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
    Classification Of hFE1  
    Rank  
    B
    C
    D
    Range  
    60-120  
    120-200  
    160-320  
    HSMC Product Specification  
    Spec. No. : HE9018-B  
    Issued Date : 1996.04.15  
    Revised Date : 2000.11.01  
    Page No. : 2/3  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    Characteristics Curve  
    Current Gain & Collector Current  
    Saturation Voltage & Collector Current  
    1000  
    100  
    10  
    10000  
    1000  
    100  
    CE  
    =5V  
    V
    CE(sat)  
    V
    C
    B
    @ I =20I  
    CE(sat)  
    V
    C
    B
    @ I =10I  
    10  
    0.1  
    1
    10  
    Collector Current (mA)  
    100  
    1000  
    0.1  
    1
    10  
    Collector Current (mA)  
    100  
    1000  
    On Voltage & Collector Current  
    Cutoff Frequency & Collector Current  
    1000  
    100  
    10  
    10000  
    1000  
    CE  
    =5V  
    V
    BE(on)  
    CE  
    V
    @ V =5V  
    100  
    1
    10  
    100  
    1000  
    0.1  
    1
    10  
    Collector Current (mA)  
    100  
    1000  
    Collector Current (mA)  
    Capacitance & Reverse-Biased Voltage  
    10  
    Cob  
    1
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    Reverse Biased Voltage (V)  
    HSMC Product Specification  
    Spec. No. : HE9018-B  
    Issued Date : 1996.04.15  
    Revised Date : 2000.11.01  
    Page No. : 3/3  
    HI-SINCERITY  
    MICROELECTRONICS CORP.  
    TO-251 Dimension  
    Marking :  
    A
    B
    C
    HSMC Logo  
    Part Number  
    Date Code  
    Product Series  
    D
    H
    Rank  
    Ink Mark  
    F
    G
    Style : Pin 1.Base 2.Collector 3.Emitter  
    3
    I
    K
    E
    2
    1
    J
    3-Lead TO-251 Plastic Package  
    HSMC Package Code : I  
    *:Typical  
    Inches  
    Min. Max.  
    Millimeters  
    Inches  
    Millimeters  
    Min. Max.  
    DIM  
    DIM  
    Min.  
    Max.  
    0.55  
    1.50  
    0.60  
    2.40  
    6.80  
    7.20  
    Min.  
    0.2559  
    Max.  
    -
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    0.0177 0.0217  
    0.0354 0.0591  
    0.0177 0.0236  
    0.0866 0.0945  
    0.2520 0.2677  
    0.2677 0.2835  
    0.45  
    0.90  
    0.45  
    2.20  
    6.40  
    6.80  
    G
    H
    I
    J
    K
    6.50  
    -
    -
    -
    -
    *0.1811  
    0.0354  
    0.0315  
    -
    -
    -
    *4.60  
    0.90  
    0.80  
    5.50  
    0.2047 0.2165  
    5.20  
    Notes : 1.Dimension and tolerance based on our Spec. dated May. 24,1995.  
    2.Controlling dimension : millimeters.  
    3.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.  
    4.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local HSMC sales office.  
    Material :  
    • Lead : 42 Alloy ; solder plating  
    • Mold Compound : Epoxy resin family, flammability solid burning class:UL94V-0  
    Important Notice:  
    • All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.  
    • HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.  
    • HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.  
    • HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.  
    Head Office And Factory :  
    • Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.) : 10F.,No. 61, Sec. 2, Chung-Shan N. Rd. Taipei Taiwan R.O.C.  
    Tel : 886-2-25212056 Fax : 886-2-25632712, 25368454  
    • Factory 1 : No. 38, Kuang Fu S. Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan. R.O.C  
    Tel : 886-3-5983621~5 Fax : 886-3-5982931  
    • Factory 2 : No. 17-1, Ta-Tung Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan. R.O.C  
    Tel : 886-3-5977061 Fax : 886-3-5979220  
    HSMC Product Specification  
    配单直通车
    HI1609B产品参数
    型号:HI1609B
    生命周期：Obsolete
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.84
    最大集电极电流 (IC)：0.1 A
    配置：Single
    最小直流电流增益 (hFE)：60
    最高工作温度：150 °C
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：20 W
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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