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配单直通车
HIP2060AS2产品参数
型号:HIP2060AS2
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.77
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):100 mJ
配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-169AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G5
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:65 W
最大功率耗散 (Abs):65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):25 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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