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| 型号: | HIP4083AP |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.85 |
| 其他特性： | JUNCTION TEMPERATURE FOR TEST |
| 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | STANDARD |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 功能数量： | 3 |
| 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出特性： | TOTEM-POLE |
| 输出极性： | INVERTED |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大压摆率： | 3 mA |
| 最大供电电压： | 15 V |
| 最小供电电压： | 7 V |
| 标称供电电压： | 12 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 断开时间： | 0.09 µs |
| 接通时间： | 0.1 µs |
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