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  • 数量Renesas Electronics America Inc 
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  • 数量27000 
  • 厂家Renesas 
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  • 数量9000 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc 
  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露焊盘 
  • 批号2021+ 
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  • 厂家Renesas 
  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露焊盘 
  • 批号2021+ 
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  • 深圳市安博晨科技有限公司

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  • 深圳市鹏达微电子有限公司

  • 数量9000 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc 
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  • 深圳市亚诺德电子有限公司

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  • 封装8-SOIC 
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  • 数量1001 
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HIP6601BECBZA-T产品参数

品牌:Intersil

描述:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

制造商:Intersil

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

驱动配置:半桥

通道类型:同步

驱动器数:2

栅极类型:N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V

逻辑电压 - VIL,VIH:-

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):15V

上升/下降时间(典型值):20ns,20ns

工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

供应商器件封装:8-SOIC-EP

基本零件编号:HIP6601B

标准包装:2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):3(168 小时)

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