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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 数量5000 
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  • 封装原厂封装 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量15000 
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 数量8320 
  • 厂家HITACHI 
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  • ★原装真实库存★13点税!
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量6000 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 数量29500 
  • 厂家日立 
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  • 只做原装现货代理
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家HITACHI 
  • 封装TSOP32 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家HITACHI 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量8000 
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  • 封装N/A 
  • 批号2024 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 数量38000 
  • 厂家HITACHI 
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  • 只做原装进口现货假一赔十!公司原装现货!
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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 数量8760 
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 数量72100 
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  • 批号2020+ 
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 数量3557 
  • 厂家HITACHI 
  • 封装TSOP 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • HM628512BLTT7
  • 数量1288 
  • 厂家HITACHI 
  • 封装TSOP 
  • 批号新 
  • 全新原装 货期两周
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • HM628512BLTT7
  • 数量2115 
  • 厂家HIT 
  • 封装TSOP32 
  • 批号新 
  • 全新原装 货期两周
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产品型号HM628512BLTT-5的Datasheet PDF文件预览

HM628512B Series  
4 M SRAM (512-kword × 8-bit)  
ADE-203-903D (Z)  
Rev. 3.0  
Aug. 24, 1999  
Description  
The Hitachi HM628512B is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword × 8-bit. It realizes higher density,  
higher performance and low power consumption by employing 0.35 µm Hi-CMOS process technology. The  
device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP,  
is available for high density mounting. The HM628512B is suitable for battery backup system.  
Features  
Single 5 V supply  
Access time: 55/70 ns (max)  
Power dissipation  
Active: 50 mW/MHz (typ)  
Standby: 10 µW (typ)  
Completely static memory. No clock or timing strobe required  
Equal access and cycle times  
Common data input and output: Three state output  
Directly TTL compatible: All inputs and outputs  
Battery backup operation  
HM628512B Series  
Ordering Information  
Type No.  
Access time  
Package  
HM628512BLP-5  
HM628512BLP-7  
55 ns  
70 ns  
600-mil 32-pin plastic DIP (DP-32)  
HM628512BLP-5SL  
HM628512BLP-7SL  
55 ns  
70 ns  
HM628512BLP-5UL  
HM628512BLP-7UL  
55 ns  
70 ns  
HM628512BLFP-5  
HM628512BLFP-7  
55 ns  
70 ns  
525-mil 32-pin plastic SOP (FP-32D)  
HM628512BLFP-5SL 55 ns  
HM628512BLFP-7SL 70 ns  
HM628512BLFP-5UL 55 ns  
HM628512BLFP-7UL 70 ns  
HM628512BLTT-5  
HM628512BLTT-7  
55 ns  
70 ns  
400-mil 32-pin plastic TSOP II (TTP-32D)  
HM628512BLTT-5SL  
HM628512BLTT-7SL  
55 ns  
70 ns  
HM628512BLTT-5UL 55 ns  
HM628512BLTT-7UL 70 ns  
HM628512BLRR-5  
HM628512BLRR-7  
55 ns  
70 ns  
400-mil 32-pin plastic TSOP II reverse (TTP-32DR)  
HM628512BLRR-5SL 55 ns  
HM628512BLRR-7SL 70 ns  
HM628512BLRR-5UL 55 ns  
HM628512BLRR-7UL 70 ns  
2
HM628512B Series  
Pin Arrangement  
HM628512BLP Series  
HM628512BLFP Series  
HM628512BLTT Series  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
2
2
3
3
4
5
4
A6  
6
A5  
5
7
A9  
A4  
8
A11  
OE  
6
A6  
A3  
9
A2  
7
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CS  
A9  
A5  
A1  
8
A11  
A4  
A0  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
VSS  
9
OE  
A10  
CS  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A3  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2  
A1  
A0  
(Top view)  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
VSS  
HM628512BLRR Series  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
2
3
(Top view)  
4
5
6
A6  
A9  
7
A5  
A11  
OE  
8
A4  
9
A3  
A10  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2  
A1  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
VSS  
(Top view)  
Pin Description  
Pin name  
A0 to A18  
I/O0 to I/O7  
CS  
Function  
Address input  
Data input/output  
Chip select  
OE  
Output enable  
Write enable  
Power supply  
Ground  
WE  
VCC  
VSS  
3
HM628512B Series  
Block Diagram  
V CC  
V SS  
A18  
A16  
A1  
A0  
Memory Matrix  
A2  
Row  
Decoder  
×
1,024 4,096  
A12  
A14  
A3  
A7  
A6  
I/O0  
I/O7  
Column I/O  
Input  
Data  
Control  
Column Decoder  
A11A10A4 A5  
A13A17A15  
A8 A9  
CS  
Timing Pulse Generator  
Read/Write Control  
WE  
OE  
4
HM628512B Series  
Function Table  
WE  
×
CS  
H
L
OE  
×
Mode  
VCC current  
Dout pin  
High-Z  
High-Z  
Dout  
Ref. cycle  
Not selected  
Output disable  
Read  
ISB, ISB1  
ICC  
H
H
L
H
L
L
ICC  
Read cycle  
Write cycle (1)  
Write cycle (2)  
L
H
L
Write  
ICC  
Din  
L
L
Write  
ICC  
Din  
Note: ×: H or L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Value  
–0.5 to +7.0  
–0.5*1 to VCC + 0.3*2  
Unit  
Power supply voltage  
Voltage on any pin relative to VSS  
Power dissipation  
V
VT  
V
PT  
1.0  
W
°C  
°C  
°C  
Operating temperature  
Storage temperature  
Storage temperature under bias  
Topr  
Tstg  
Tbias  
–20 to +70  
–55 to +125  
–20 to +85  
Notes: 1. –3.0 V for pulse half-width 30 ns  
2. Maximum voltage is 7.0 V  
Recommended DC Operating Conditions (Ta = –20 to +70°C)  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Min  
4.5  
0
Typ  
5.0  
0
Max  
5.5  
Unit  
V
Supply voltage  
VSS  
0
V
Input high voltage  
Input low voltage  
VIH  
2.2  
–0.3*1  
VCC + 0.3  
0.8  
V
VIL  
V
Note: 1. –3.0 V for pulse half-width 30 ns  
5
HM628512B Series  
DC Characteristics (Ta = –20 to +70°C, VCC = 5 V ±10% , VSS = 0 V)  
Parameter  
Symbol Min Typ*1 Max Unit Test conditions  
Input leakage current  
Output leakage current  
|ILI|  
1
1
µA  
µA  
Vin = VSS to VCC  
|ILO|  
CS = VIH or OE = VIH or  
WE = VIL, VI/O = VSS to VCC  
Operating power supply current: DC  
Operating power supply current  
ICC  
8
15  
60  
mA  
mA  
CS = VIL,  
others = VIH/VIL, II/O = 0 mA  
ICC1  
40  
Min cycle, duty = 100%  
CS = VIL, others = VIH/VIL  
II/O = 0 mA  
Operating power supply current  
ICC2  
10  
20  
mA  
Cycle time = 1 µs,  
duty = 100%  
II/O = 0 mA, CS 0.2 V  
VIH VCC – 0.2 V, VIL 0.2 V  
Standby power supply current: DC  
ISB  
2.4  
1
3
mA  
CS = VIH  
Standby power supply current (1): DC ISB1  
2*2  
2*3  
2*4  
100*2 µA  
Vin 0 V, CS VCC – 0.2 V  
50*3  
20*4  
0.4  
µA  
µA  
V
Output low voltage  
Output high voltage  
VOL  
VOH  
IOL = 2.1 mA  
V
IOH = –1.0 mA  
Notes: 1. Typical values are at VCC = 5.0 V, Ta = +25°C and specified loading, and not guaranteed.  
2. This characteristics is guaranteed only for L version.  
3. This characteristics is guaranteed only for L-SL version.  
4. This characteristics is guaranteed only for L-UL version.  
Capacitance (Ta = +25°C, f = 1 MHz)  
Parameter  
Symbol  
Cin  
Typ  
Max  
8
Unit  
pF  
Test conditions  
Vin = 0 V  
Input capacitance*1  
Input/output capacitance*1  
CI/O  
10  
pF  
VI/O = 0 V  
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.  
6
HM628512B Series  
AC Characteristics (Ta = –20 to +70°C, VCC = 5 V ± 10%, unless otherwise noted.)  
Test Conditions  
Input pulse levels: 0.8 V to 2.4 V  
Input rise and fall time: 5 ns  
Input and output timing reference levels: 1.5 V  
Output load: 1 TTL Gate + CL (100 pF) (HM628512B-7)  
1 TTL Gate + CL (50 pF) (HM628512B-5)  
(Including scope & jig)  
Read Cycle  
HM628512B  
-5  
-7  
Min  
70  
10  
5
Parameter  
Symbol  
tRC  
Min  
55  
10  
5
Max  
Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
Read cycle time  
Address access time  
tAA  
55  
55  
25  
70  
70  
35  
Chip select access time  
tCO  
Output enable to output valid  
Chip selection to output in low-Z  
Output enable to output in low-Z  
Chip deselection to output in high-Z  
Output disable to output in high-Z  
Output hold from address change  
tOE  
tLZ  
2
tOLZ  
tHZ  
tOHZ  
tOH  
2
0
20  
20  
0
25  
25  
1, 2  
1, 2  
0
0
10  
10  
7
HM628512B Series  
Write Cycle  
HM628512B  
-5  
-7  
Min  
70  
60  
0
Parameter  
Symbol  
tWC  
Min  
55  
50  
0
Max  
20  
20  
Max  
25  
25  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
Write cycle time  
Chip selection to end of write  
Address setup time  
tCW  
4
5
tAS  
Address valid to end of write  
Write pulse width  
tAW  
50  
40  
0
60  
50  
0
tWP  
3, 12  
6
Write recovery time  
tWR  
WE to output in high-Z  
Data to write time overlap  
Data hold from write time  
Output active from output in high-Z  
Output disable to output in high-Z  
tWHZ  
tDW  
0
0
1, 2, 7  
25  
0
30  
0
tDH  
tOW  
5
5
2
tOHZ  
0
0
1, 2, 7  
Notes: 1. tHZ, tOHZ and tWHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and  
are not referred to output voltage levels.  
2. This parameter is sampled and not 100% tested.  
3. A write occurs during the overlap (tWP) of a low CS and a low WE. A write begins at the later  
transition of CS going low or WE going low. A write ends at the earlier transition of CS going high  
or WE going high. tWP is measured from the beginning of write to the end of write.  
4. tCW is measured from CS going low to the end of write.  
5. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.  
6. tWR is measured from the earlier of WE or CS going high to the end of write cycle.  
7. During this period, I/O pins are in the output state so that the input signals of the opposite phase to  
the outputs must not be applied.  
8. If the CS low transition occurs simultaneously with the WE low transition or after the WE transition,  
the output remain in a high impedance state.  
9. Dout is the same phase of the write data of this write cycle.  
10. Dout is the read data of next address.  
11. If CS is low during this period, I/O pins are in the output state. Therefore, the input signals of the  
opposite phase to the outputs must not be applied to them.  
12. In the write cycle with OE low fixed, tWP must satisfy the following equation to avoid a problem of  
data bus contention. tWP tDW min + tWHZ max  
8
HM628512B Series  
Timing Waveforms  
Read Timing Waveform (WE = VIH)  
tRC  
Address  
tAA  
tCO  
CS  
tLZ  
tHZ  
tOE  
tOLZ  
OE  
tOHZ  
Dout  
Valid Data  
tOH  
9
HM628512B Series  
Write Timing Waveform (1) (OE Clock)  
tWC  
Address  
tAW  
tWR  
OE  
tCW  
CS  
*8  
tWP  
tAS  
WE  
tOHZ  
Dout  
Din  
tDW  
tDH  
Valid Data  
10  
HM628512B Series  
Write Timing Waveform (2) (OE Low Fixed)  
tWC  
Address  
tCW  
tWR  
CS  
*8  
tAW  
tWP  
tOH  
WE  
tAS  
tOW  
tWHZ  
*10  
*9  
Dout  
Din  
tDW  
tDH  
*11  
Valid Data  
11  
HM628512B Series  
Low VCC Data Retention Characteristics (Ta = –20 to +70°C)  
Parameter  
Symbol Min  
Typ Max  
Unit  
V
Test conditions*4  
VCC for data retention  
Data retention current  
VDR  
2
CS VCC – 0.2 V, Vin 0 V  
ICCDR  
1*5  
50*1  
µA  
VCC = 3.0 V, Vin 0 V  
CS VCC – 0.2 V  
1*5  
1*5  
15*2  
10*3  
µA  
µA  
ns  
ns  
Chip deselect to data retention time tCDR  
Operation recovery time tR  
0
tRC*6  
See retention waveform  
Notes: 1. For L-version and 20 µA (max.) at Ta = –20 to +40°C.  
2. For L-SL-version and 3 µA (max.) at Ta = –20 to +40°C.  
3. For L-UL-version and 3 µA (max.) at Ta = –20 to +40°C.  
4. CS controls address buffer, WE buffer, OE buffer, and Din buffer. In data retention mode, Vin  
levels (address, WE, OE, I/O) can be in the high impedance state.  
5. Typical values are at VCC = 3.0 V, Ta = +25°C and specified loading, and not guaranteed.  
6. tRC = read cycle time.  
Low VCC Data Retention Timing Waveform (CS Controlled)  
tR  
tCDR  
Data retention mode  
VCC  
4.5 V  
2.2 V  
VDR  
CS  
0 V  
CS VCC – 0.2 V  
12  
HM628512B Series  
Package Dimensions  
HM628512BLP Series (DP-32)  
Unit: mm  
41.90  
42.50 Max  
32  
17  
16  
1
1.20  
15.24  
2.30 Max  
+ 0.11  
– 0.05  
0.25  
0.48 ± 0.10  
2.54 ± 0.25  
0° – 15°  
Hitachi Code  
DP-32  
JEDEC  
EIAJ  
Conforms  
Weight (reference value) 5.1 g  
13  
HM628512B Series  
Package Dimensions (cont.)  
HM628512BLFP Series (FP-32D)  
Unit: mm  
20.45  
20.95 Max  
17  
32  
1
16  
14.14 ± 0.30  
1.00 Max  
1.42  
0° – 8°  
0.10  
M
0.80 ± 0.20  
1.27  
*0.40 ± 0.08  
0.15  
0.38 ± 0.06  
Hitachi Code  
JEDEC  
EIAJ  
FP-32D  
Conforms  
*Dimension including the plating thickness  
Base material dimension  
Weight (reference value) 1.3 g  
14  
HM628512B Series  
Package Dimensions (cont.)  
HM628512BLTT Series (TTP-32D)  
Unit: mm  
20.95  
21.35 Max  
32  
17  
16  
1
1.27  
*0.42 ± 0.08  
0.40 ± 0.06  
M
0.21  
0.80  
11.76 ± 0.20  
1.15 Max  
0° – 5°  
0.50 ± 0.10  
0.10  
Hitachi Code  
JEDEC  
EIAJ  
TTP-32D  
Conforms  
*Dimension including the plating thickness  
Base material dimension  
Weight (reference value) 0.51 g  
15  
HM628512B Series  
Package Dimensions (cont.)  
HM628512BLRR Series (TTP-32DR)  
Unit: mm  
20.95  
21.35 Max  
1
16  
17  
32  
1.27  
*0.42 ± 0.08  
0.40 ± 0.06  
M
0.21  
0.80  
11.76 ± 0.20  
1.15 Max  
0° – 5°  
0.50 ± 0.10  
0.10  
Hitachi Code  
JEDEC  
EIAJ  
TTP-32DR  
Conforms  
*Dimension including the plating thickness  
Base material dimension  
Weight (reference value) 0.51 g  
16  
HM628512B Series  
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Asia (Singapore)  
Asia (Taiwan)  
: http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm  
: http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm  
Asia (HongKong) : http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm  
Japan  
: http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm  
For further information write to:  
Hitachi Semiconductor  
(America) Inc.  
Hitachi Europe GmbH  
Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.  
Group III (Electronic Components)  
7/F., North Tower, World Finance Centre,  
Harbour City, Canton Road, Tsim Sha Tsui,  
Kowloon, Hong Kong  
Tel: <852> (2) 735 9218  
Fax: <852> (2) 730 0281  
Hitachi Asia Pte. Ltd.  
16 Collyer Quay #20-00  
Hitachi Tower  
Singapore 049318  
Tel: 535-2100  
Electronic components Group  
Dornacher Straße 3  
D-85622 Feldkirchen, Munich  
Germany  
Tel: <49> (89) 9 9180-0  
Fax: <49> (89) 9 29 30 00  
179 East Tasman Drive,  
San Jose,CA 95134  
Tel: <1> (408) 433-1990  
Fax: <1>(408) 433-0223  
Fax: 535-1533  
Hitachi Asia Ltd.  
Taipei Branch Office  
3F, Hung Kuo Building. No.167,  
Tun-Hwa North Road, Taipei (105)  
Tel: <886> (2) 2718-3666  
Fax: <886> (2) 2718-8180  
Telex: 40815 HITEC HX  
Hitachi Europe Ltd.  
Electronic Components Group.  
Whitebrook Park  
Lower Cookham Road  
Maidenhead  
Berkshire SL6 8YA, United Kingdom  
Tel: <44> (1628) 585000  
Fax: <44> (1628) 778322  
Copyright © Hitachi, Ltd., 1998. All rights reserved. Printed in Japan.  
17  
HM628512B Series  
Revision Record  
Rev. Date  
Contents of Modification  
Drawn by Approved by  
0.0  
0.1  
Apr. 24, 1998  
Initial issue  
M. Higuchi K. Imato  
Nov. 19, 1998  
DC Characteristics  
S. kunito  
K. Imato  
I
SB1 max: 40/20 µA to 100/50 µA  
Low VCC Data Retention Characteristics  
CCDR max: 20/10 µA to 50/15 µA  
I
Change of note1 and 2  
1.0  
Jan. 13, 1999  
Deletion of Preliminary  
Features  
S. kunito  
K. Imato  
Change of Power dissipation  
Standby: TBD (typ) to 10 µW (typ)  
DC Characteristics  
I
SB1 typ: TBD/TBD to 2/2 µA  
Low VCC Data Retention Characteristics  
CCDR typ: TBD/TBD to 1/1 µA  
I
2.0  
Apr. 8, 1999  
Addition of L-UL-version  
DC Characteristics  
S. kunito  
K. Makuta  
I
I
SB1 typ: 2/2 µA to 2/2/2 µA  
SB1 max: 100/50 µA to 100/50/20 µA  
Addition of note4  
Low VCC Data Retention Characteristics  
I
I
CCDR typ: 1/1 µA to 1/1/1 µA  
CCDR max: 50/15 µA to 50/15/10 µA  
Addition of note3  
3.0  
Aug. 24, 1999  
Low VCC Data Retention Characteristics  
Correct error: tR unit ms to ns  
18  
配单直通车
HM628512BLTT-5产品参数
型号:HM628512BLTT-5
生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69
最长访问时间:55 ns
其他特性:LG-MAX
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:21.35 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-20 °C
组织:512KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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