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产品型号HMBT8550的Datasheet PDF文件预览

Spec. No. : HE6813  
Issued Date : 1997.08.11  
Revised Date : 2002.10.25  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HMBT8550  
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR  
Description  
The HMBT8550 is designed for general purpose amplifier  
applications.  
SOT-23  
Features  
High DC Current: hFE=150-400 at IC=150mA  
Complementary to HMBT8050  
Absolute Maximum Ratings  
Maximum Temperatures  
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum  
Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 225 mW  
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -25 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -20 V  
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V  
IC Collector Current ...................................................................................................... -700 mA  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-25  
-20  
-5  
-
-
-
-
100  
150  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
uA  
nA  
mV  
V
IC=-10uA  
IC=-1mA  
IE=-10uA  
VCB=-20V  
VEB=-6V  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-1V, IC=-150mA  
VCE=-1V, IC=-150mA  
VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
-1  
IEBO  
-100  
-500  
-1  
500  
-
*VCE(sat)  
VBE(on)  
*hFE  
ft  
Cob  
MHz  
pF  
10  
*Pulse Test: Pulse Width 380us, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE  
Rank  
B9C  
100-200  
B9D  
B9E  
Range  
150-300  
250-500  
HMBT8550  
HSMC Product Specification  
Spec. No. : HE6813  
Issued Date : 1997.08.11  
Revised Date : 2002.10.25  
Page No. : 2/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
Characteristics Curve  
Current Gain & Collector Current  
Saturation Voltage & Collector Current  
1000  
100  
10  
10000  
1000  
100  
10  
BE(sat)  
C
B
V
@ I =10I  
CE(sat)  
V
C
B
@I =10I  
1
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current (mA)  
Collector Current (mA)  
On Voltage & Collector Current  
Cutoff Frequency & Collector Current  
10000  
1000  
100  
10  
CE  
=10V  
V
1000  
BE(on)  
CE  
@ V =1V  
V
100  
1
10  
100  
Collector Current (mA)  
1000  
10000  
1
10  
100  
1000  
Collector Current (mA)  
Capcitance & Reverse-Biased Voltage  
Safe Operating Area  
100  
10000  
1000  
100  
10  
PT=1ms  
PT=100ms  
PT=1s  
Cob  
10  
1
1
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
Reverse Biased Voltage (V)  
Forward Voltage (V)  
HMBT8550  
HSMC Product Specification  
Spec. No. : HE6813  
Issued Date : 1997.08.11  
Revised Date : 2002.10.25  
Page No. : 3/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
SOT-23 Dimension  
Marking:  
A
3
L
B 9  
B S  
Rank Code  
1
2
Control Code  
V
G
3-Lead SOT-23 Plastic  
Surface Mounted Package  
HSMC Package Code: N  
C
D
H
K
J
Style: Pin 1.Base 2.Emitter 3.Collector  
*: Typical  
Inches  
Millimeters  
Inches  
Millimeters  
DIM  
DIM  
Min.  
Max.  
Min.  
2.80  
1.20  
0.89  
0.30  
1.70  
0.013  
Max.  
3.04  
1.60  
1.30  
0.50  
2.30  
0.10  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
0.177  
0.67  
1.15  
2.75  
0.65  
A
B
C
D
G
H
0.1102  
0.0472  
0.0335  
0.0118  
0.0669  
0.0005  
0.1204  
0.0630  
0.0512  
0.0197  
0.0910  
0.0040  
J
K
L
S
V
0.0034  
0.0128  
0.0335  
0.0830  
0.0098  
0.0070  
0.0266  
0.0453  
0.1083  
0.0256  
0.085  
0.32  
0.85  
2.10  
0.25  
Notes: 1.Dimension and tolerance based on our Spec. dated Sep. 07,1997.  
2.Controlling dimension: millimeters.  
3.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.  
4.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local HSMC sales office.  
Material:  
Lead: 42 Alloy; solder plating  
Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0  
Important Notice:  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.  
HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.  
HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.  
HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.  
Head Office And Factory:  
Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.): 10F.,No. 61, Sec. 2, Chung-Shan N. Rd. Taipei Taiwan R.O.C.  
Tel: 886-2-25212056 Fax: 886-2-25632712, 25368454  
Factory 1: No. 38, Kuang Fu S. Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan. R.O.C  
Tel: 886-3-5983621~5 Fax: 886-3-5982931  
HMBT8550  
HSMC Product Specification  
配单直通车
HMBT8550产品参数
型号:HMBT8550
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SUSUMU CO LTD
零件包装代码:SC-59
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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