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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量15000 
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  • 一级代理原装现货
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 厂家ADI/亚德诺 
  • 封装SOT-89 
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 数量73000 
  • 厂家一级代理 
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  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量55 
  • 厂家HITTITE 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 集好芯城

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  • 数量16016 
  • 厂家HITTITE 
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  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 封装NA 
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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 厂家Analog Devices / Hittite 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量19150 
  • 厂家ADI(亚德诺) 
  • 封装N/A 
  • 批号23+ 
  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量8000 
  • 厂家ADI(亚德诺) 
  • 封装N/A 
  • 批号22+ 
  • 原装现货★★★
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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • HMC580ST89ETR
  • 数量5000 
  • 厂家Analog Devices / Hittite 
  • 封装标准封装 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家HITTLE 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 数量
  • 厂家HITTITE 
  • 封装SOT89 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家ADI(亚德诺) 
  • 封装TO-243AA 
  • 批号24+ 
  • 绝对原装正品,可开专票,欢迎采购!!!
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家ANALOG DEVICES 
  • 封装N/A 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品,假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家Analog Devices(亚德诺) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量18800 
  • 厂家ADI-亚德诺 
  • 封装SOT-89-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • HMC580ST89ETR
  • 数量12245 
  • 厂家ADI/亚德诺 
  • 封装SOT89 
  • 批号22+ 
  • 现货,原厂原装假一罚十!
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家ADI/亚德诺 
  • 封装SOT-89 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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产品型号HMC580ST89E的概述

HMC580ST89E芯片概述 HMC580ST89E是一款性能极为优越的宽带射频开关芯片,主要用于各种无线通信和信号处理应用。此芯片由Hittite公司(现为Analog Devices的一部分)生产,专门设计用于高频、低插入损耗及低反向隔离的应用场景,广泛应用于射频(RF)系统以及微波设备中。 该开关芯片集成了多种独特的技术,能有效支持高频信号,以及在整个频率范围内保持较低的信号损失。这使得HMC580ST89E在多个行业中都具有广泛的应用,包括卫星通信、无线数据传输、无线电频率前端模块等。在实用性方面,HMC580ST89E的设计允许其在极端条件下操作,确保了其在各种严苛环境中的可靠性和耐用性。 HMC580ST89E的详细参数 HMC580ST89E的核心参数包括: - 操作频率范围:DC到18 GHz,表现出良好的频率响应能力。 - 插入损耗:在接近其最高频率时,插入损耗低于...

产品型号HMC580ST89E的Datasheet PDF文件预览

HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Typical Applications  
The HMC580ST89 / HMC580ST89E is an ideal RF/IF  
gain block & LO or PA driver:  
Features  
P1dB Output Power: +22 dBm  
Gain: 22 dB  
• Cellular / PCS / 3G  
Output IP3: +37 dBm  
Cascadable 50 Ohm I/Os  
Single Supply: +5V  
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV, Cable Modem & DBS  
• Microwave Radio & Test Equipment  
• IF & RF Applications  
Industry Standard SOT89 Package  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC580ST89 & HMC580ST89E are InGaP  
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain  
Block MMIC SMT amplifiers covering DC to 1 GHz.  
Packaged in an industry standard SOT89, the  
amplifier can be used as a cascadable 50 Ohm RF  
or IF gain stage as well as a PA or LO driver with  
up to +26 dBm output power. The HMC580ST89(E)  
offers 22 dB of gain with a +37 dBm output IP3 at 250  
MHz, and can operate directly from a +5V supply. The  
HMC580ST89(E) exhibits excellent gain and output  
power stability over temperature, while requiring a  
minimal number of external bias components.  
Electrical Specifications, Vs= 5.0 V, Rbias= 1.8 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
19  
18.5  
15  
22  
21  
17  
dB  
dB  
dB  
Gain  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
DC - 1.0 GHz  
0.005  
dB/ °C  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
35  
28  
19  
dB  
dB  
dB  
DC - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
12  
11  
dB  
dB  
Output Return Loss  
Reverse Isolation  
DC - 1.0 GHz  
23  
dB  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
19  
17.5  
16  
22  
20.5  
19  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
37  
35  
33  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Third Order Intercept (IP3)  
(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)  
Noise Figure  
DC - 1.0 GHz  
2.8  
88  
dB  
Supply Current (Icq)  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 572  
HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Broadband Gain & Return Loss  
Gain vs. Temperature  
25  
20  
15  
10  
5
24  
22  
20  
18  
16  
14  
S21  
S11  
S22  
0
-5  
12  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
+25C  
+85C  
-40C  
10  
8
6
4
2
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
1.5  
1.5  
FREQUENCY (GHz)  
FREQUENCY (GHz)  
Input Return Loss vs. Temperature  
Output Return Loss vs. Temperature  
0
0
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
+25C  
+85C  
-40C  
-5  
-10  
-15  
+25C  
+85C  
-40C  
-20  
-25  
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
FREQUENCY (GHz)  
FREQUENCY (GHz)  
Reverse Isolation vs. Temperature  
Noise Figure vs. Temperature  
0
10  
9
-5  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
+25C  
+85C  
-40C  
-10  
+25C  
+85C  
-40C  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
FREQUENCY (GHz)  
FREQUENCY (GHz)  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
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5 - 573  
HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
P1dB vs. Temperature  
Psat vs. Temperature  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
+25C  
+85C  
-40C  
14  
+25C  
+85C  
-40C  
12  
10  
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
FREQUENCY (GHz)  
FREQUENCY (GHz)  
Gain, Power & OIP3 vs. Supply Voltage  
for Constant Icc = 88 mA @ 850 MHz  
Output IP3 vs. Temperature  
45  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
40  
35  
30  
Gain  
P1dB  
Psat  
OIP3  
12  
8
4
+25C  
+85C  
-40C  
25  
20  
0
0
0.3  
0.5  
0.8  
1
1.3  
1.5  
4.5  
5
5.5  
FREQUENCY (GHz)  
Vs (Vdc)  
Vcc vs. Icc Over Temperature for  
Fixed Vs= 5V, RBIAS= 1.8 Ohms  
ACPR vs. Channel Output Power  
94  
-20  
+85C  
92  
-25  
WCDMA 140MHz  
-30  
90  
WCDMA 400MHz  
+25C  
CDMA2000 140MHz  
CDMA2000 400MHz  
-35  
88  
86  
84  
82  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
-65  
-40C  
80  
78  
4.82  
4.83  
4.84  
4.85  
4.86  
4.87  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
Vcc (Vdc)  
CHANNEL OUTPUT POWER (dBm)  
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20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
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5 - 574  
HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Absolute Maximum Ratings  
Collector Bias Voltage (Vcc)  
+5.5 Vdc  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
RF Input Power (RFin)(Vcc = +4.2 Vdc) +10 dBm  
Junction Temperature  
150 °C  
0.59 W  
Continuous Pdiss (T = 85 °C)  
(derate 9 mW/°C above 85 °C)  
Thermal Resistance  
(junction to lead)  
110 °C/W  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
-65 to +150 °C  
-40 to +85 °C  
Outline Drawing  
NOTES:  
1. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY  
2. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].  
3. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.  
4. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.  
5. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.  
Package Information  
Part Number  
Package Body Material  
Lead Finish  
MSL Rating  
MSL1 [1]  
Package Marking [3]  
H580  
XXXX  
HMC580ST89  
Low Stress Injection Molded Plastic  
Sn/Pb Solder  
H580  
XXXX  
MSL1 [2]  
HMC580ST89E  
RoHS-compliant Low Stress Injection Molded Plastic  
100% matte Sn  
[1] Max peak reflow temperature of 235 °C  
[2] Max peak reflow temperature of 260 °C  
[3] 4-Digit lot number XXXX  
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5 - 575  
HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Pin Descriptions  
Pin Number  
Function  
Description  
Interface Schematic  
This pin is DC coupled.  
An off chip DC blocking capacitor is required.  
1
IN  
3
OUT  
GND  
RF output and DC Bias (Vcc) for the output stage.  
These pins and package bottom must be connected to  
RF/DC ground.  
2, 4  
Application Circuit  
Recommended Bias Resistor Values  
for Icc = 88 mA, Rbias = (Vs - Vcc) / Icc, Vs > +5V  
Supply Voltage (Vs)  
6V  
8V  
Note:  
1. External blocking capacitors are required on  
RFIN and RFOUT.  
2. RBIAS provides DC bias stability over temperature.  
RBIAS VALUE  
13 Ω  
¼ W  
36 Ω  
½ W  
RBIAS POWER RATING  
Recommended Component Values for Key Application Frequencies with Vs = +5V  
Frequency (MHz)  
Component  
50  
250  
400  
900  
56 nH  
L1  
270 nH  
0.01 μF  
0 Ohms  
110 nH  
820 pF  
1.5 Ohms  
110 nH  
820 pF  
1.5 Ohms  
C1, C2  
Rbias  
100 pF  
1.8 Ohms  
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5 - 576  
HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Evaluation PCB  
List of Materials for Evaluation PCB 116402 [1]  
The circuit board used in the final application  
should use RF circuit design techniques. Signal  
lines should have 50 ohm impedance while the  
package ground leads and package bottom should  
be connected directly to the ground plane similar to  
that shown. A sufficient number of via holes should  
be used to connect the top and bottom ground  
planes. The evaluation board should be mounted  
to an appropriate heat sink. The evaluation circuit  
board shown is available from Hittite upon request.  
Item  
J1 - J2  
J3 - J4  
C1, C2  
C3  
Description  
PCB Mount SMA Connector  
DC Pin  
Capacitor, 0402 Pkg.  
100 pF Capacitor, 0402 Pkg.  
1000 pF Capacitor, 0603 Pkg.  
2.2 μF Capacitor, Tantalum  
Resistor, 1206 Pkg.  
C4  
C5  
R1  
L1  
Inductor, 0603 Pkg.  
U1  
HMC580ST89 / HMC580ST89E  
107368 Evaluation PCB  
[2]  
PCB  
[1] Reference this number when ordering complete evaluation PCB  
[2] Circuit Board Material: Rogers 4350  
[3] Evaluation board tuned for 900 MHz operation  
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